中国首台7纳米光刻机海康威视?海康威视_光刻机!

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由于制造7纳米以下工艺需要用到EUV光刻机,而ASML是EUV光刻机的独家供应商,所以近几年来,ASML赚得盆满钵满,例如其2021年就实现了约70亿美元的净利润,是供应EUV光刻机之前的2017年净利润的3倍,净利润率达到了惊人的32%,然而科技总在高速的发展,ASML也并非可以一直躺赚,现在,三大光刻和三大芯片技术就已经出现,可以说个个都对ASML造成了不利。

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先说三大光刻技术,ASML虽然是光刻机领域的霸主,但并非ASML就代表了光刻机的全部,实际上,ASML的光刻机,只是光刻机类型中的一种,也是最传统的一种,目前市场上已经又出现了三大光刻技术,首先是X射线光刻机。

X射线光刻机在性能上比ASML的EUV光刻机还要优秀,因为X射线的波长可以做到只有EUV的1%,因此在制造先进工艺芯片上,X射线光刻机可以轻松的做到,由于X射线光刻机并不采用投影式,所以设计上并不复杂,而且不需要掩膜,因此对生态链的要求也不高。目前俄罗斯就表示要在2028年生产7纳米光刻机,实际上就是X射线光刻机。

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除了X射线光刻机,还有电子束光刻机,该类光刻机与X射线在技术上有相同的部分,即都不是投影式,也都不需要掩膜,不过电子束的波长比X射线还要短,因此在制造先进工艺的芯片时会更得心应手,近日老美方面就有一家公司宣称,利用电子束光刻技术实现了0.7纳米的工艺。

第三种光刻技术叫做超分辨技术,该技术来自我国的中科院,该类光刻机依然是投影式光刻机,但是对光源的波长并不敏感,例如ASML需要等效134纳米的光才能生产10纳米芯片,而超分辨技术只需要365纳米的紫外光就可以实现。

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可以看到,以上三种新兴光刻技术,在一定程度上可以替代ASML的光刻机,尤其是先进工艺光刻机,这里之所以说一定程度上,是因为X射线和电子束光刻机的生产效率较低,而超分辨光刻机目前还不能应用所有类型的芯片,不过我们仍然看好超分辨技术,实际上上面我们提到的三种光刻技术,也只有我们的超分辨已经被应用到芯片的生产之中。

下面继续说三大芯片技术,第一种就是芯粒技术,该技术将以前的一颗大芯片进行了分拆,形成许多的小芯片,这些小芯片可以采用不同的架构,重点是可以采用成熟工艺,只有很小一部分计算核心的芯片用到较先进的工艺,因此可以大幅度的减少对EUV光刻机的使用。

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第二种就是存算一体技术,目前芯片的性能一直被认为不够用,实际上是因为数据的获取浪费了太多时间,也就是“内存墙”效应,而存算一体将计算和存储合二为一,内存墙问题就被解决了,目前该技术已经被应用到实际的芯片当中,取得了不俗的效果,而且不依赖先进工艺。

第三种就是异质异构技术,该技术与芯粒技术类似,但是在材料上也进行了“拆分”,芯片不再只采用硅这一种原料,像碳、石墨烯等对芯片性能的提升显著高于硅,而且在制备更小的晶体管上同样具备优势,此外,异质异构技术,可以说基本可以不需要采用先进工艺。

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我们看到,以上六大技术的出现以及部分已经开始被应用,对ASML形成了一种合围之势,因此分析师表示尘埃落定了,新技术才是未来的发展大方向,因为它们的成本更低、效率更高、更能延续摩尔定律,实际上ASML也已经承认自己的光刻技术几乎走到了尽头,所以未来我们的芯片产业会继续发展壮大,如果您觉得说得在理,感谢给个转发、点赞和在看,让更多的人知道这个好消息。



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